历史首次！长江存储向三星授权关键技术专利

2月24日，韩国媒体ZDNet Korea独家报道称，三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署了专利许可协议，将从后者获得3D NAND“混合键合”专利，该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。

截至目前，长江存储专利申请数量超过1万件，其中3D NAND相关专利占比超60%，并且开辟了标准制定第二战线，加入JEDEC、ONFI等国际标准组织，推动Xtacking接口协议成为行业可选方案。

也正是在专利方面的积累，为长江存储的快速成长奠定了基础。分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司此前得出结论：长江存储已是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。

此外，在国际背景下，长江存储在半导体产业方面的“制裁”与“抗衡”之中也游刃有余。一个经典案例是2023年起诉美光侵犯其3D NAND结构专利，实现了反向制约国际巨头，更有一定的象征意义。